Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다.

2023.06.16 16:51

bokweng 조회 수:281

 

안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75771
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19456
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56674
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68034
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90328
64 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 131
63 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 164
62 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 183
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 200
60 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 236
59 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 238
58 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 278
» 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 281
56 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 285
55 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 357
54 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 400
53 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 463
52 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 476
51 Polymer Temp Etch [1] 553
50 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 555
49 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 563
48 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 740
47 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 796
46 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 805
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 896
쓰기
태그

Boards

XE Login