안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76928
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20307
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57225
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68774
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92754
49 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 806
48 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 854
47 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 995
46 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1061
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1071
44 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1101
43 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1135
42 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1146
41 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1176
40 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1195
39 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1255
38 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1392
37 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1393
36 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1427
35 터보펌프 에러관련 [1] 1773
34 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1813
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1990
32 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2028
31 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2076
30 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2086

Boards


XE Login