Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78038 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93634 |
| 54 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 687 |
| 53 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 711 |
| 52 | Polymer Temp Etch [1] | 758 |
| 51 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 766 |
| 50 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 875 |
| 49 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 940 |
| 48 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 1084 |
| 47 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1140 |
| 46 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1163 |
| 45 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1181 |
| 44 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1187 |
| 43 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1205 |
| 42 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
 | 1211 |
| 41 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1227 |
| 40 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1282 |
| 39 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1448 |
| 38 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
| 1457 |
| » | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
| 36 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1815 |
| 35 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1898 |
metal 쪽 식각 공정에서 표면 화학 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님 연구실을 추천합니다.
먼저 플라즈마 생성 관점에서 보면 SF6 플라즈는 음이온 생성으로 플라즈마 생성이 어려운데, Ar 등은 Ar* (여기 아르곤)형성으로 플라즈마 만들기가 수월합니다. 반면 N2 는 N 과 N으로 나누어지고 이온화가 이뤄지는 반응이 커서 플라즈마 생성에 에너지가 많이 들어갑니다.
따라서 플라즈마 생성 관점에는 Ar 사용이 좋겠고, 표면에서 반응은 Ar이 질량이 커서 sputtering etching 효과도 N 보다 나을 것 같습니다. 여기서 한가지 더 생각할 점은 Ar은 W과 결합하지 않습니다. 불활성 가스이지요. 하지만 N는 W-N 박막을 만들 수 있고, 이는 film 형성으로 식각률이 떨어질 수 있겠습니다.