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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68926
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30 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2176
29 etching에 관한 질문입니다. [1] 2309
28 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2343
27 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2363
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2396
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2579
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2703
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22 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2904
21 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2919
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 3071
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3078
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3621
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3993
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4348
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5484
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5519
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6022
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6328
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6859

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