안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
68 DC Bias Vs Self bias [5] 31568
67 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24183
» N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23771
65 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22778
64 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22550
63 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20432
62 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17535
61 ICP 식각에 대하여... 16925
60 ICP와 CCP의 차이 [3] 12526
59 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9531
58 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6673
57 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6274
56 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5912
55 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5475
54 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5347
53 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4314
52 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3972
51 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3551
50 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3009
49 Plasma etcher particle 원인 [1] 3000

Boards


XE Login