Etch SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]

2016.09.26 16:57

인포메이커 조회 수:6263

RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102724
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24675
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61390
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73458
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105792
76 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 32052
75 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
74 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24194
73 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23257
72 Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22808
71 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20565
70 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 18689
69 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17102
68 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13082
67 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9838
66 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8266
65 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6994
64 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6971
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6263
62 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5940
61 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4914
60 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4901
59 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
58 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4241
57 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3830
쓰기
태그

Boards

XE Login