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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
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69 DC Bias Vs Self bias [5] 31615
68 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24214
67 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23790
66 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22810
65 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22563
64 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20443
63 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17627
62 ICP 식각에 대하여... 16939
61 ICP와 CCP의 차이 [3] 12581
60 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9559
59 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6824
58 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6317
57 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6006
56 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5509
55 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5455
54 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4340
53 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3988
52 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3614
51 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3059
50 Plasma etcher particle 원인 [1] 3052

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