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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[220]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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DC Bias Vs Self bias
[5] | 31221 |
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23549 |
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Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1] | 22562 |
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Dry Etcher 에 대한 교재
[1] | 22468 |
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RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
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ICP 식각에 대하여...
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안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 16774 |
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ICP와 CCP의 차이
[3] | 12040 |
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 5843 |
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 5269 |
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DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5232 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 5097 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 4613 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 3980 |
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Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3857 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3298 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 2641 |
