안녕하세요, 에칭쪽은 처음 접해보게 된 연구자입니다. Wet 에칭 중에서도 HF 나 F2 의 SiO2 에칭에 관심이 생겨 알아보고 있습니다. 

시간별/온도별 pure HF 와 pure F2 가스의 fused silica glass (SiO2) 또는 quartz SiO2 표면의 에칭율 (etch rate) 자료를 찾아보고 있습니다. 근데 제가 구글 검색 능력이 떨어져서 그런지, 생각보다 별다른 자료가 많이 나오지 않습니다.   

제가 찾은건 

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/ja993803z?src=recsys

https://www.seas.upenn.edu/~nanosop/documents/Etchratesformicromachiningprocessing.pdf

http://www.its.caltech.edu/~daw/papers/12-NW-preprint.pdf

이런 자료들을 찾기는 했는데, 여전히 순수 HF나 순수 F2 가스와 fused silica SiO2 그리고 quartz SiO2 표면의 온도별/시간별 에칭률이나 에칭반응계수를 찾지는 못했습니다. 

분명 오래된 논문들에 있을것 같은데 제가 검색어를 잘못 넣었는지 찾을수가 없네요. 혹시 wet etching 중 HF나 F2의 fused / quartz silica 에칭률 자료가 있으면 추천 부탁드립니다. 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76700
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20156
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92221
» HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
46 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2733
45 PR wafer seasoning [1] 2699
44 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2626
43 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2441
42 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2319
41 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
40 etching에 관한 질문입니다. [1] 2257
39 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2252
38 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2047
37 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1981
36 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1976
35 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1927
34 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1788
33 터보펌프 에러관련 [1] 1753
32 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1407
31 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1374
30 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1303
29 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1240
28 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1179

Boards


XE Login