최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
14 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 405
13 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 370
12 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 340
11 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 337
10 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 329
» GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 279
8 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 276
7 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 148
6 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 137
5 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106
4 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 85
3 플라즈마 식각 커스핑 식각량 77
2 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 58
1 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 45

Boards


XE Login