안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76886
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20282
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57200
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
36 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 186
35 PECVD Uniformity [1] 554
34 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
33 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 409
32 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 745
31 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1906
30 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1121
28 질문있습니다 교수님 [1] 22174
27 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1752
26 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3343
25 PEALD관련 질문 [1] 32646
» 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 727
23 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1527
22 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1304
21 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 473
20 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1674
19 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1442
18 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2342
17 플라즈마 색 관찰 [1] 4315

Boards


XE Login