Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:1508

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3648
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15343
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50578
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62996
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82133
30 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 267
29 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 323
28 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 455
27 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 463
26 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 902
25 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 940
24 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 976
23 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 977
22 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1022
21 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1435
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1508
19 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1509
18 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2253
17 플라즈마 색 관찰 [1] 2772
16 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6131
15 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7477
14 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 7902
13 질문있습니다 교수님 [1] 14650
12 박막 형성 15098
11 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] 15456

Boards


XE Login