안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85625
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22571
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59282
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71011
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98029
37 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 307
36 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 343
35 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 344
34 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 581
33 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 596
32 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 837
31 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 883
30 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 902
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1390
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1483
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1625
26 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1891
25 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1914
24 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2056
23 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2104
22 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2337
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2683
» HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3117
19 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3797
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4362

Boards


XE Login