Deposition 박막 형성 [ICP와 MOCVD]

2004.06.21 15:10

관리자 조회 수:15385 추천:241

박막 형성

ICP장치에 관해서는 참고서적을 이용하시고 sputter(본란에서 설명을 하였습니다. 참고하기 바랍니다.)를 이용하여 상온 target에
박막을 형성시키는 것은 가능합니다. 입히고자 하는 박막이나 시편의 성질에 따라서 시편의 온도를 조절해야 함은 당연할 것 입니다.
적절한 온도에서 박막이 잘 성장하게 되며 이에 대해서도 이미 설명드린 바가 있습니다. 한가지 더 고려해야 할 것은 금속 박막
성장을 위한 방법으로 MOCVD방법이 있으니 이를 공부해 보는 것도 좋은 방법입니다. MOCVD는 sputter로 가능하지 않은 금속 물질등
의 박막 성장에 사용하는 방법입니다.

ICP에 관한 자료는 일단 다음 교재를 참고하기 바랍니다.
1. M.A. Lieberman & A.J.Lichtenberg "Principles of plasma discharges and material processing (1994,Jhon Wiley & Sons.Inc)
2. J.R.Roth, "Industrial Plasma Engineering : Vol.1 Principles" (1995, Institute of Physics Publishing)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102629
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24655
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73440
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105744
37 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 447
36 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 458
35 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 472
34 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 727
33 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 838
32 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 970
31 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1012
30 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1226
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1572
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1602
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1759
26 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2081
25 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2197
24 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2243
23 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2303
22 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2678
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2898
20 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3227
19 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4245
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4552

Boards


XE Login