안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101773
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24428
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61077
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73112
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105270
37 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 433
36 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 450
35 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 455
34 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 723
33 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 807
32 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 929
31 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 994
30 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1164
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1556
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1590
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1753
26 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2058
25 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2128
24 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2219
23 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2258
22 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2581
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2850
20 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3207
19 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4164
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4526

Boards


XE Login