물리적인 sputtering은 표면에서 균일하게 일어남으로 큰 차이를 갖기 힘들 것입니다. 질문에서와 같이 inert 개스를 사용한 경우에는 sputter target은 일정하게 sputtering이 일어나고 있을 것입니다. 하지만 주 교수님 말씀과 질문하신 분의 말씀과 같이 산화물 등이 생성되는 환경에서는 sputter target표면에서의 sputtering은 일정하지 않을 조건이 형성될 것입니다. 이에 관해서 지난 난에서 설명한 바에 첨부를 하자면 대표적인 sputter인 magnetron의 동작에는 강한 자기장도 전기장이 형성되어 있는 환경입니다. 이들 전/자기장이 힘을 전달하는 입자는 하전 입자들입니다. 하지만 산화 막이나 sputter되어서 튀어나오는 입자들의 대부분은 전기적으로 중성을 띄고 있는 입자, 즉 중성 상태입니다. 이들은 전/자기장에 의해서 영향을 거의 받지 않으며 주로 운동량에 따라 움직이게 됩니다. 이 같은 환경에서는 화학 반응이 주된 반응 물리적인 반응보다 더 효율적인 반응이 됩니다. 따라서 sputter 표면 근방에서 형성된 중성 입자들의 움직임은 주로 충돌에 의한 운동량의 변화에 기인되게 되며 이들 중성 입자들이 반응기 공간 내로 혹은 다시 sputter 표면으로 움직이게 되는 인자를 제공하게 됩니다. 나아가 충돌이 주요 인자가 되다 보니 반응기 내에서의 평균 충돌 거리가 중요한 변수가 됩니다. 충돌거리가 짧게 되면 당연히 표면으로부터 이탈되어 나오던 입자들이 충돌에 의해서 되돌아 가는 확률이 높아질 것입니다. 여기서 생각해야 할 문제는 입자들의 화학적 반응성, 평균 충돌 거리등이며 전/자기장은 하전 입자들에 대새서 작용한다는 것 등입니다. 또한 sputter에서도 화학적인 반응의 결과들, 즉 sputter표면의 막의 형성, 과 물리적인 반응의 결과, sputtering은 늘 서로 경쟁을 하고 있다고 생각할 수 있습니다. 이는 조금 차이는 나지만 식각에서도 유사합니다.