안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 86038
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22633
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59339
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71080
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98207
16 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27457
15 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25149
14 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 24951
13 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 7718
12 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [VI probe] [3] 6279
» 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4135
10 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset] [1] 4003
9 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2749
8 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2578
7 chamber impedance [장비 임피던스 데이터] [1] 2165
6 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [플라즈마 임피던스, 운전압력조절 방전 조건] [1] 1890
5 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [접촉 저항] [2] 1804
4 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다. [VI Phase] [1] 1120
3 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [플라즈마 회로 설계] [2] 680
2 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 664
1 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 381

Boards


XE Login