그림1.png

재미있는 Data 이군요.

저도 일전에 한번 경험해 보았습니다.
더 재미 있는 것은, 공정상에는 DR(뎁레잇)에 영향이 없다는 것이죠. Unifomity만 좀 떨어지는 것 이외에는...

Refpwr의 변함에 따라, Photo Sensor의 Lightness에 증감이 있는 것으로 보아, Plasma의 Electron Density는 변동에 따른 것이라 유추만 하고 있습니다. 정확한 것은 PSD 나 L/Probe 같은 Tool로 봐야 알 수 있을 것 같더군요. VI나 OES로는 별 연관성이 찾기 어려웠습니다.
해당 부분의 이유를 찾기 어려운 것은 Matcher의 Cap이 Ref의 값을 Input으로 받아서, 해당 부분을 상쇄 시키는 부분도 있기 때문에, 이 부분을 고려 했을 때의 Plasma 변화를 함께 고려해야 하기 때문입니다. VI로 판단하기 어려운 부분도 이 부분 때문에....Fuzzy Algorithm을 역으로 추정해야지 실 값이 보인다는....

말이 길어졌는데, 저의 경험만을 가지고 조금 말씀 드리면,
1. DR이나 Uni와 Ref값과 비교 하는 것은 조금 어려움,
2. Part Damage와 연관은 있일 수 있으나, Ref때문에 생겼다고 생각하기는 어려움, 대신, Ref가 높을 때, Part의 Damage가 크다는 것은 유추 가능하다고 판단됨.
3. Ref가 튀는 부분은, Arc에 의하여 다량의 electron이 Matcher로 유입된 것으로 판단됨 (Vdc 와 연동해 보면 더 정확할 듯...)
4. Ref값에 의한 Part 손상은, Heater 보다는, Electrod 혹은 Shower Header 부분과 연동하는 것이 더 나아 보임.

이상입니다.

미약하나마 경험 공유 합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4864
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16204
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51246
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63740
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83494
24 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 40308
23 Ground에 대하여 37765
22 Arcing [1] 27210
21 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 25872
20 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25398
19 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24510
» 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23934
17 Peak RF Voltage의 의미 22138
16 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] file 20897
15 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] file 20006
14 석영이 사용되는 이유? [1] 19569
13 MFC 19168
12 CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 19125
11 최적의 펌프는? 18393
10 Faraday shielding & Screening effect 18174
9 Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. 17011
8 반응기의 면적에 대한 질문 12692
7 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 9250
6 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1591
5 고진공 만드는방법. [1] 786

Boards


XE Login