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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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esc란?
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dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity]
[3] | 26404 |
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안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다.
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Dry Etcher 내 reflect 현상 [Chuck 전압/전류 및 field breakdown]
[2] | 22346 |
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[질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [Plasma 대면재료와 공정법]
[1] | 19897 |
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ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다.
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ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다.
[1] | 15150 |
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Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다.
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정전척 isolation문의 입니다. [Paschen's law와 절연파괴현상]
[1] | 7789 |
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플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매커니즘 문의.. [플라즈마 leak와 국부방전]
[1] | 6580 |
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ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [ESC, 쉬스 전기장 및 bias 전력 조절]
[1] | 5796 |
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ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성]
[1] | 3843 |
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ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
[1] | 3708 |
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Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring]
[2] | 2962 |
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SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리]
[2] | 2712 |
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ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절]
[1] | 2407 |
8 |
CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap]
[1] | 1945 |
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전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending]
[1] | 1703 |
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ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의
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