안녕하세요 학부과정 진행중인 황준성입니다.

RIE장비로 SiO2 웨이퍼를 식각하려고 하는데 이때 발생하는 가스형태의 공정부산물을 측정하려고 하는데 사전에 주입가스를 통해서 발생할 수 있는 가스를 계산하여 예측할 수 있는 방법이 있을까요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78014
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69249
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93625
171 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 936
170 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 369
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 336
168 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 762
167 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 278
166 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 661
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 445
164 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 214
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 267
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 711
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1692
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 339
» RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 408
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 451
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 687
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1202
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 404
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 660
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 29039
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 775

Boards


XE Login