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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64186
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92 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4932
91 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1095
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1606
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1878
88 플라즈마 색 관찰 [1] 3065
87 PR wafer seasoning [1] 2443
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1253
85 ICP 후 변색 질문 585
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 2141
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 359
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 569
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4048
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1950
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 991
78 ICP와 CCP의 차이 [3] 11039
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1487
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2118
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2888
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5838
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8036

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