Deposition 플라즈마 색 관찰

2018.05.08 14:21

우인범 조회 수:4451

안녕하세요, 반도체분야로 취업하려는 취업준비생입니다.


얼마전에 공정실습을 다녀왔었는데요. SiO2 를 PECVD로 증착하는 과정에서 플라즈마 관찰을 했었습니다. process gas로 N2O를 SiH4보다 많이 투입했음에도 불구하고 SiH4의 플라즈마 색이 관찰된 것에 대해서 이유를 분석해보라는 문제를 주셨습니다. 


당시에는 두 가스의 플라즈마 색이 갖는 파장이 합성됐을 때 푸리에와 관련해서 나온 현상이라고 이해했었는데, 다시생각해보니 정확한 정리가 잘 되지 않았습니다.


이 현상에 대해서 피드백을 받을 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78015
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69249
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93625
111 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2088
110 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3481
109 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1239
108 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2941
107 PEALD관련 질문 [1] 32694
106 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1129
105 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 764
104 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2087
103 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1609
102 터보펌프 에러관련 [1] 1815
101 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1483
100 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2612
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1365
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 498
97 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1745
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2450
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1226
94 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 875
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 2352
92 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5573

Boards


XE Login