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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
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Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 1816 |
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터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 1845 |
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Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응]
[1] | 1895 |
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CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 1929 |
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108 |
wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 1952 |
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RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2016 |
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플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE]
[1] | 2137 |
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2152 |
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PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD]
[1] | 2153 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2174 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2252 |
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Ta deposition시 DC Source Sputtreing
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2408 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 2446 |
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sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux]
[1] | 2459 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2472 |
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2488 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2538 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2543 |
