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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant]
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FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석
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PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어]
[1] | 1147 |
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Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막]
[1] | 437 |
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PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙]
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O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다.
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PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD]
[1] | 2570 |
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SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
[1] | 4511 |
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엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석]
[1] | 1550 |
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질문있습니다 교수님 [Deposition]
[1] | 22690 |
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CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 2248 |
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 4151 |
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PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정]
[1] | 33000 |
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기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
[2] | 983 |
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PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
[1] | 2099 |
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[CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
[4] | 1582 |
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magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화]
[3] | 720 |
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Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 2046 |
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Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘]
[1] | 1745 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2835 |
