안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.

너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속

-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )

-> 임피던스 감소


여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.

그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는

플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는 

플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데


저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
417 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2914
416 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2888
415 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2886
414 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2866
413 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2833
412 임피던스 매칭회로 [1] file 2822
411 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2803
410 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2785
409 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2731
408 PR wafer seasoning [1] 2705
407 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2693
406 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2661
405 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2659
404 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
403 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2587
402 질문있습니다. [1] 2583
401 Si Wafer Broken [2] 2536
400 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2517
399 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2491
398 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2491

Boards


XE Login