Others Plasma arcing 관련하여 문의드립니다.
2021.02.09 16:16
안녕하십니까, 교수님
저는 국내 디스플레이 장비 업체에서 근무 중인 직장인 김준현이라고 합니다.
항상 좋은 답변 해주셔서 업무 진행에 있어 많은 도움을 받고 있습니다.
최근 arcing 관련 내용을 공부 중에 있는데요, 궁금한 점이 생겨 이렇게 문의드리게 되었습니다.
질문들은 하기와 같습니다.
1. arcing 발생 방지에 있어, ground가 중요한 이유가 무엇인가요...?
2. 벽표면 혹은 전극 표면 등에 쌓인 부도체 물질, particle 등이 acring 발생에 어떤 영향을 주는지 그 메카니즘에 관해 알고 싶습니다.
3. 특정 조건에서 기판 지지체 하부에 잔류 플라즈마 발생을 확인할 수 있었는데요, 기판지지체 하부에는 RF Power가 직접적으로 가해지지 않는데 왜 플라즈마가 유지/생성될 수 있는지 궁금합니다.
이상입니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76875 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20274 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68752 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92698 |
| 537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1226 |
| 536 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1244 |
| 535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1247 |
| 534 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1253 |
| 533 | 플라즈마 챔버 [2] | 1258 |
| 532 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1259 |
| 531 | ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] | 1277 |
| 530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1282 |
| 529 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1286 |
| 528 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1290 |
| 527 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1304 |
| 526 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1305 |
| 525 | 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] | 1321 |
| 524 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1327 |
| 523 | Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] | 1329 |
| 522 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1334 |
| 521 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1]  | 1336 |
| 520 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1346 |
| 519 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1355 |
| 518 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1358 |
Plasma 내에서 arc는 플라즈마내 전자들이 특정 위치에 축척되면서 생길 가능성이 매우 높습니다. 따라서 부도체 표면, 공정 중 생기는 particle 들에 의한 파티클들이 특정 위치에 박막을 형성하거나 플라즈마와 대면하고 있는 절연체 표면에 충전될 확률이 높습니다. 따라서 절연체의 후면에 (대부분의 경우) 전기적인 도체로 연결이 되어 있어 축척되는 전자들을 뽑아내는 역할을 하게 됩니다. 따라서 ground가 부실하게 되면 전하 충전이 커지고, 전기장을 크게 만드는 부분에서 방전이 개시되게 되고 이는 아크로 (국부적 큰 전류를 형성) 발전하게 됩니다. 따라서 전기적으로 ground 및 부품 간의 갭 간격 (특히 플라즈마와 대면하고 있는 부위에서)의 세정에 각별히 신경써는 것이 좋습니다. 특히 박막 공정 혹은 파티클 형성이 심한 공정과 bias 를 키우는 식각 공정에서 발생 확률이 높아집니다. 해결책은 역으로 운전 보다 관리의 관점에서 해결하는 방법이 좋습니다. 만일 장비사라면 설계시 공정 생성물을 고려한 디자인이 필요하겠습니다.