Matcher CURRENT PATH로 인한 아킹

2023.08.22 11:19

생렬 조회 수:393

안녕하세요.교수님

 

이번에 설비사에서 Matcher Plate에 Matcher를 장착할 때 Plate와 Matcher 바닥면 사이 약간의 유격이 있는 상태에서 볼트로 체결하고 RF Power 13.56MHz 2kW 인가 해서 Output 커넥터(20PI 소캣타입)에 아킹이 발생 하였습니다. (크리피지 길이는 충분합니다.)

볼트로 체결하면서 Plate와 Matcher 사이는 완전이 붙었다곤 하지만 제생각엔 완전 면접촉 상태가 아니고 점접촉 상태에서 CURRENT PATH 때문에 아킹이 발생 한 것 같은데 이 원리를 이론적으로 잘 모르겠더라구요..

 

답변 부탁드립니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76781
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68721
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92420
751 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 255
750 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 256
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 273
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 291
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 310
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 313
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 318
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 318
743 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 321
742 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 322
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 336
740 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 341
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 350
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 351
737 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 355
736 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 358
735 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 360
734 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 367
733 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 374
732 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 380

Boards


XE Login