Others [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [OES, VI 신호 및 가상계측 인자]
2019.07.22 21:04
안녕하십니까, 식각공정 장비 담당하는 회사원입니다.
장비에서 올라오는 신호로 Plasma에 대해 해석을 하는 경우가 있는지 알고싶습니다.
양산라인에서 쓸만한 Monitoring Method에 대해서도 알고싶습니다.
제 주 업무는 장비에서 올라오는 신호들을 분석하는 것인데요,
(저희 부서에서는 일본계 회사 제품을 사용하고있습니다.)
업무를 하다보면 제품 온도 변화 혹은 내부 상태의 변화에 따라 불량이 발생하는 경우가 자주 있습니다.
아쉬운 점은 이걸 장비 신호로 플라즈마의 공정상 영향을 미치는 정보들이 해석이 안되는 경우가 많습니다.
(특정 구간에서 불량이 검출되었으나 Trend 상으로 전혀 문제가 없어 보이는)
센서 심화를 더 시켜야 하는것인지 고민될때가 많습니다.(H/W적인 변경점을 주는것은 상당히 어렵습니다만)
연구실에서 사용하는 방법론들에 대해 알려주시면 많은 도움이 될 것 같습니다.
감사합니다.
댓글 2
-
김곤호
2019.07.23 18:48
-
SongMigeon
2019.08.06 22:49
답변 감사드립니다.
실명기재로 되어있는데 모르고 닉네임을 적었습니다.
(예전에 가입했었는지 실명으로 닉네임 설정이 안되어 영문명으로 설정했습니다.)
알려주신 공정진단 워크숍에 참석해서 많은 정보들을 배워 가겠습니다.
감사합니다.
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저희는 공정진단 기술을 개발하는데 있어 다음 관점에 기초합니다. 즉, 장비 조건이 플라즈마를 만들고 플라즈마 내에서 공정입자들의 에너지와 밀도를 제어하고 이들이 시편 표면에서 반응하는 장비-플라즈마와 플라즈마-공정의 관점이며, 여기서 공정 플라즈마가 공통분모가 됩니다.
따라서 질문에 이 개념을 적용하면, 장비 데이터와 센서 데이터를 묶어 보시고 (상관관계를 파악) 센서 데이터 (특히 OES 및 VI 데이터)로 부터 플라즈마 정보를 읽어 냅니다. 이들 자료를 모두 모아서 공정 결과와 유관한 인자들을 뽑고 훈련 학습을 통해서 가상계측을 개발할 수 있습니다. 가상계측에 사용된 인자들을 추리면 공정 장비가 공정에 미치는 영향을 판단할 수가 있겟고, 아마도 갖고 계신 질문에 방향을 잡을 수가 있을 것입니다.
센서 데이터나 장비 데이터와 공정 플라즈마의 정도, (밀도, 온도 등)을 다양한 이론을 접목해서 읽어 보시기 바랍니다. 대부분의 공정은 플라즈마 밀도, 라디컬 밀도, 쉬스 에너지, 표면 온도 의 함수로 나타나며, 이 신호는 OES 혹은 VI 신호 및 장비 운전 데이터가 일부 들어가는 형태를 갖습니다. 하지만 플라즈마 정보는 그들 주요인자의 결과물로서의 데이터이고, 플라즈마 밀도 및 쉬스 에너지와 라디컬 밀도를 유추하여 FDC 알고르짐으로 개선시킬 수가 있겠습니다. 이 자료가 확보되면 장비와 공정을 제어하기가 수월해 질 것입니다. 관련 연구 내용은 저희 연구실 발표 논문으로 공개되어 있으니 참고하시면 되겠습니다.
(아울러 다음 달 8월 28일(수)에 공정진단 제어기술 워크숍이 서울대학교에서 열립니다. 홈페이지 공지를 참고하시기 바랍니다.)