Etch GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문

2023.07.13 17:52

PumpMan 조회 수:250

최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76819
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20247
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57191
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92578
68 DC Bias Vs Self bias [5] 31562
67 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24181
66 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23766
65 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22771
64 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22548
63 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20429
62 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17493
61 ICP 식각에 대하여... 16923
60 ICP와 CCP의 차이 [3] 12506
59 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9525
58 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6638
57 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6264
56 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5888
55 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5468
54 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5307
53 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4289
52 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3969
51 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3544
50 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2993
49 Plasma etcher particle 원인 [1] 2985
쓰기
태그

Boards

XE Login