Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
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만일 가스 혼합비에 따라서 친수성 정도가 바뀐다면, 공정 조절을 하는 방법
또는 후속 공정으로 소수성 제고를 위해서는 CF4 계열 플라즈마를 사용하거나,
처리 표면을 Ar 혹은 He 플라즈마로 정렬시키는 후처리 방법이 있을 것 같습니다.
다만, 해당 공정 후의 후속 공정에 영향을 미칠 수 있으니 이점을 신중하게 고려해야 할 것 같습니다.