안녕하세요. 고려대학교 김동석 입니다.

스퍼터링 장비 사용 중 학술적인 문의사항이 있어 질문 드립니다. 

1. DC sputtering 사용 중 power supply에 표시되는 DC bias는 막질에 어떤 영향을 주나요?

    공부가 부족하여 단순히 Sheath에서 걸리는 전위차라고만 알고 있는데... 

    DC bias가 증가하는 경우와 감소하는 경우 성막에 어떠한 차이를 유발하는지 궁금합니다.

2. RF sputtering 에는 DC bias가 존재하나요?

    RF 스퍼터링의 경우 sheath가 생성되지 않으면 DC bias가 존재하지 않을텐데, 장비에는 어떤(?) 의미인지 모를

    bias가 표시되더라구요.. -40V 이런 식으로 말입니다. 이게 어떠한 의미를 담고 있는지 궁금합니다.

3. Matching box의 Ground는 어떤 영향을 줄 수 있나요?

    RF system의 접지를 floating으로 한 경우와, earth 를 잡았을 경우 어떠한 차이점이 있는지 궁금합니다.

    지면접지를 잡아야 한다면 다른 장비들과 어떤 식으로 연결해야 하는지.. 궁금합니다.

여러 자료를 찾아가며 공부하던 중, 토론방에 글을 올려봅니다. 

다른 글들도 읽어보았는데, 제가 플라즈마 전공자가 아니라서 잘 이해가 가지 않았어요..

많이 배워가겠습니다. ^^