Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power]
2011.12.07 17:12
안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.
궁금점에 대해 여쭈어 봅니다
일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.
PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.
일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.
Forword Power [%]
Reflect Power [W]
Bias(Vpp) Power
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20179 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
246 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24331 |
245 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15885 |
244 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15803 |
243 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22117 |
242 | cross section 질문 [1] | 19712 |
» | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29261 |
240 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17695 |
239 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21191 |
238 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24747 |
237 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22695 |
236 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19836 |
235 | 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] | 20311 |
234 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31666 |
233 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24307 |
232 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23332 |
231 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22941 |
230 | 대기압 플라즈마 | 40706 |