ESC 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의..
2013.06.13 15:05
안녕하세요.
저는 정전척 제조 회사에 근무하고 있는 서보경입니다.
정전척 관련하여 궁금한 것이 있어 이렇게 문의를 드리게 되었습니다.
자사 5.5세대 정전척 제품이 공정 진행 후 Gate 앞쪽 부위의 외각 He-hole 부위에 burning 현상이 많이 나타납니다.
이러한 현상은 glass를 chucking 하기 전에 이미 plasma 가 유입이 되어 이로 인하여 burning 현상이 나타나는 것으로 예상을
하고 있는데요. 그렇다면 이 현상에 대해 메카니즘이 어떻게 되는 것인지 궁금합니다.
도움을 주시면 정말 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76829 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20251 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68743 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92581 |
792 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144570 |
791 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134449 |
790 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95716 |
789 | Plasma source type | 79669 |
788 | Silent Discharge | 64558 |
787 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54928 |
786 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47867 |
785 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
784 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41263 |
783 | 대기압 플라즈마 | 40710 |
782 | Ground에 대하여 | 39448 |
781 | RF frequency와 RF power 구분 | 39077 |
780 | Self Bias | 36387 |
779 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35940 |
778 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34963 |
777 | PEALD관련 질문 [1] | 32623 |