안녕하세요. 경희대학교에서 플라즈마에 대한 학부연구를 진행하고 있는 박준우라고 합니다.

플라즈마의 전자 온도에 대한 간단한 질문이 있어 QNA 드립니다.

 

플라즈마 내의 전자가 물질(substrate)과 충돌했을 때, 맞은 substrate의 전자도 온도가 올라가는 것으로 알고 있습니다.

이 때 일반적으로 진공에 떠돌아 다니는 전자의 온도와, substrate의 전자 온도의 정의를 똑같이 할 수가 없다고 하는데, 정확히 어떻게 정의가 달라지는지 궁금하여 질문 드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92259
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2003
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8713
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3527
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14777
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1330
» 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 862
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2269
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1363
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 703
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 982
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 723
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 707
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1455
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1983
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 788
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2010
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1447
609 전자 온도 구하기 [1] file 1128

Boards


XE Login