현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

감사합니다.