안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.

plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?

또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.

chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [250] 76380
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19968
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57055
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91226
770 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 23
769 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 29
768 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 31
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 42
766 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 85
765 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 114
764 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 119
763 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 133
762 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 145
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 152
760 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 163
759 corona model에 대한 질문입니다. [1] 164
758 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 165
757 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 170
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 185
755 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 188
754 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 200
753 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 206
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 207
751 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 209

Boards


XE Login