Etch 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘
2023.05.19 12:58
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.
plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?
또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.
chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76875 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20274 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92698 |
| 797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 11 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 13 |
| 795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 24 |
| 794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 28 |
| 793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 42 |
| 792 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 60 |
| 791 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 64 |
| 790 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 65 |
| 789 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 71 |
| 788 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
| 787 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 71 |
| 786 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 79 |
| 785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 79 |
| 784 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 92 |
| 783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 94 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 117 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 117 |
| 780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 120 |
| 779 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 138 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 138 |