Plasma in general CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다.
2019.10.17 14:03
안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.
기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!
CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.
사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.
Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)
다만 한가지 의심이 드는건, ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데...
이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92288 |
509 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3646 |
508 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
507 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
506 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2975 |
505 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 543 |
504 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1602 |
503 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1938 |
502 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11332 |
501 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2316 |
500 | 공정플라즈마 [1] | 1147 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
» | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1689 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1507 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3384 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1158 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2572 |
492 | chamber impedance [1] | 2009 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3278 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2128 |