Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.

플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.

플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데

질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요? 

질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20276
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92707
438 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3551
437 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3489
436 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3458
435 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3448
434 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3443
433 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3430
432 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3361
431 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3343
430 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3332
429 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3330
428 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3244
427 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3243
426 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3208
425 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3170
424 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
423 CVD 공정에서의 self bias [1] 3153
422 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3060
421 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3013
420 Plasma etcher particle 원인 [1] 3008
419 RF matcher와 particle 관계 [2] 2973

Boards


XE Login