Matcher 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다.
2016.08.14 00:39
안녕하세요 OLED 증착 전 Plasma 전처리 장비를 다루고 있는 엔지니어 입니다.
GAS 주입후 RF 제너레이터에서 파워를 인가할때 최초 반사파또한 공급파워의 80%이상반사되는 현상이 발생중입니다.
Load Tune 값은 크게 변하지 않는 상태이며 최초 공급시 1sec 정도반사파가 크게 나타나다가 빠르게 안정화 되고 있습니다.
이러한 문제의 원인이 어디에 있는지 공부를해서 찾는중인데 쉽지가 않네요 도움주실만한 것이 있을까 해서 여쭙습니다.
좋은 하루 되세요.
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
| 337 | N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] | 1820 |
| 336 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1808 |
| 335 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1771 |
| 334 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1770 |
| 333 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1760 |
| 332 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1750 |
| 331 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1708 |
| 330 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1707 |
| 329 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1702 |
| 328 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1692 |
| 327 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1676 |
| 326 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1673 |
| 325 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1670 |
| 324 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1670 |
| 323 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1641 |
| 322 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1626 |
| 321 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1623 |
| 320 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1608 |
| 319 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1568 |
| 318 | plasma 형성 관계 [1] | 1548 |