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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [Pachen's law 이해]
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Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다.
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CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching]
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안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [플라즈마 이온화 및 해리 반응, 반응기 벽면 세정]
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RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [반응기 내벽 변동 및 벽면 불화 정도 판단]
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리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ
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Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [Remote plasma 이해]
[1] | 1147 |
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RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [Plasma cleaning]
[1]  | 1411 |
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Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [Pachen's law와 Ar Gas]
[1] | 1499 |
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PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable]
[1] | 1500 |
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Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion]
[1] | 2191 |
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RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [라디컬 측정 방법 및 세정 기술]
[2] | 2314 |
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RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma]
[1] | 2599 |
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RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage]
[2] | 4298 |
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Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [플라즈마의 유지와 쉬스]
[1] | 10539 |
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remote plasma 데미지 질문 [DC glow discharge와 Breakdown]
[1] | 14655 |
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5 |
In-flight plasma process [Remote Plasma와 Plasma Torch]
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surface wave plasma에 대해서 [Microwave와 electron temperature]
[1] | 18643 |
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3 |
ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도]
[1] | 24635 |
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2 |
PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
[2] | 25106 |
