|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[313]
| 79258 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 21270 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 58070 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 69626 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 94421 |
|
37 |
HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant]
[1] | 163 |
|
36 |
FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석
| 262 |
|
35 |
Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막]
[1] | 291 |
|
34 |
PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙]
[1] | 488 |
|
33 |
magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화]
[3] | 527 |
|
32 |
PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어]
[1] | 751 |
|
31 |
O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다.
| 810 |
|
30 |
기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
[2] | 812 |
|
29 |
엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석]
[1] | 1263 |
|
28 |
[CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
[4] | 1404 |
|
27 |
Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘]
[1] | 1528 |
|
26 |
PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
[1] | 1708 |
|
25 |
Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 1816 |
|
24 |
CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 1929 |
|
23 |
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2014 |
|
22 |
PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD]
[1] | 2153 |
|
21 |
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2541 |
|
20 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
[1] | 3043 |
|
19 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 3615 |
|
18 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
[1] | 4266 |
