Etch RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
2017.01.17 17:27
안녕하세요.
RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..
Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.
근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.
Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?
제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.
미리 답변 감사합니다.
수고하세요.
댓글 4
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76816 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20246 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92576 |
795 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 4 |
794 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 | 8 |
793 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 8 |
792 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 10 |
791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 35 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 48 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 54 |
788 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 60 |
787 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 67 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 68 |
785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 72 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 76 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 87 |
782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 103 |
781 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 107 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 110 |
779 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 128 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 129 |
777 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 132 |
776 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 138 |