Etch 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다.
2019.11.13 11:27
안녕하세요 교수님~
현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.
다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.
1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.
2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데
PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76851 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20257 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92608 |
793 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144574 |
792 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134449 |
791 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95721 |
790 | Plasma source type | 79669 |
789 | Silent Discharge | 64559 |
788 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54930 |
787 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47872 |
786 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
785 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41264 |
784 | 대기압 플라즈마 | 40710 |
783 | Ground에 대하여 | 39451 |
782 | RF frequency와 RF power 구분 | 39078 |
781 | Self Bias | 36388 |
780 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35941 |
779 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
778 | PEALD관련 질문 [1] | 32624 |