DC glow discharge ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다.
2023.08.01 09:48
안녕하세요 ICP Dry Etch 설비를 운용하는 엔지니어입니다.
일전에도 비슷한 질문을 하긴 했는데요, 추가로 궁금한것이 있어 질문드립니다.
설비 문제점 발생 :
- 13.56MHz를 Bias1으로 50w, Striking 및 Etch로 사용하는 Recipe에서만 DC bias 발생하고 있는데요. 특정 step에서만 Trend 내 Hunting이 발생하고 있고, 다른 Step에서도 동일하게 Bias1을 사용하는데 문제점이 발생하지 않고 있습니다.
- 해당 문제는 매 w/f 진행 간 발생하는것이 아닌 한번 발생하면 추가 발생 빈도수가 높은 문제가 있습니다.
1. 관리하는 Parameter에서 DC Bias란 W/F 와 Plasma에 인가된 전압으로 알고 있는데요, Etch 하고자 하는 Layer의 계면 및 Gas, etchant 등으로 DC Bias가 영향이 많이 갈까요?
2. 1번 질문이 맞다면, Hbr로 si layer를 etch할 때 ion Energy, DC Bias가 Hunting하는 과정이 궁금합니다.
> Hbr이 Si Layer를 etch 하면서 SiBr4가 날라가면서 DC bias가 hunting 하는지...?
3. 해당 문제는 HW적인 조치로 발생율을 완화하고 있는데요, PLASMA RF RETRUN PATH로 작용하는 설비 내 CATHODE와 연결되는 PARTS를 교체하고 있습니다.
해당 PARTS는 원형 평면구조로 ESC 둘레로 장착되며, Y2O3로 코팅되어 있는데요, HBr의 gas 영향성으로 Si layer를 ETCH 하는 과정에서 RF RETRUN PATH로 작용하는걸 방해 할 수 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76832 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20251 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68743 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92582 |
792 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144570 |
791 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134449 |
790 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95716 |
789 | Plasma source type | 79669 |
788 | Silent Discharge | 64558 |
787 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54928 |
786 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47867 |
785 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
784 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41263 |
783 | 대기압 플라즈마 | 40710 |
782 | Ground에 대하여 | 39448 |
781 | RF frequency와 RF power 구분 | 39077 |
780 | Self Bias | 36387 |
779 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35940 |
778 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34963 |
777 | PEALD관련 질문 [1] | 32623 |