ICP 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스)
2022.11.15 17:17
안녕하세요. 플라즈마 관련 실험을 하고 있는 학생입니다.
ICP 시스템에서 전자밀도 크기에 대해 질문드리고자 합니다.
Ar, N2, O2 가스환경에서 ICP 시스템을 통해 플라즈마를 발생시키고, electron density (plasma density)를 측정하였습니다.
동일한 실험조건을 기준으로 (RF power 조건 포함),
electron density는 Ar > O2 > N2 순임을 실험적으로 확인하였습니다.
여기서 저는 왜 electron density가 상기와 같은 순서로 발생되는 것인지 궁금하였습니다.
첫번째로, Ar 은 10^12 cm-3 정도이나, O2, N2는 10^11 cm-3 정도로 측정되었습니다.
제가 사용한 공정가스는 원자형태의 가스(Ar)와 분자형태의 가스(O2, N2) 입니다.
분자형태의 가스에서는 가속된 전자가 분자사이의 결합을 끊는 dissociation 반응이 발생하고, 이에 따라 energy loss가 발생하여
실제 플라즈마 반응에 들어가는 에너지는 원자형태의 가스에서보다 작아져 electron density가 낮아지는 것으로 이해하면 될지요?
두번째로, O2 에서 electron density는 N2 보다 높게 측정되었습니다.
이는 bonding energy 가 N2(941 kJ/mol)가 O2(495 kJ/mol) 보다 높고, 이온화에너지 또한 N2가 O2 보다 높아
동일한 조건에서 플라즈마를 발생시키더라도 n2 에서 energy loss 가 많이 발생하여 electron density 가 낮아지게 되는 것인지요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 2 |
797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 13 |
796 | Druyvesteyn Distribution | 18 |
795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 27 |
794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 32 |
793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 52 |
792 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 64 |
791 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 69 |
790 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
789 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 73 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 73 |
787 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 75 |
786 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 79 |
785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 86 |
784 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 94 |
783 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 95 |
782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 118 |
781 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 119 |
780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 120 |
779 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 138 |