안녕하십니까. 반도체 엔지니어로 일하고있는 류호준이라고합니다.

먼저 질문방에 답변해주시는 좋은 내용 아주 감사하게 보고있다고 말씀드리고싶습니다.

제가 질문하려고하는 내용은 CCP방식을 사용하는 CVD설비 HEATER 교체 이후 SELF BIAS(ELEC BIAS) 값이 상승하는 문제에 대해서입니다.

일단 설비의 모양은 CHAMBER 위쪽에 샤워헤드가 있고 아래에 HEATER가 있는 방식이며 RF를 사용하여 SIN 막질을 덮는 설비입니다.

샤워헤드가 HEATER보다 크며 RF PATH는 RF GENERATOR에서나와 SHOWER HEAD를 거쳐 HEATER로 가며 SELF BIAS를 모니터링 하는 곳은 RF GENERATOR입니다.

설비에서 부득이하게 HEATER를 세정품(표면세정처리)을 사용해서 장착하면 SELF BIAS값이 기존의 값보다 너무 높게 모니터링되는

문제가 있어 HEATER 교체가 어려운 상황입니다. 여기서 몇가지 질문을 드리고 싶습니다.

1. 해당 문제가 CCP방식의 설비라 기존에는 HEATER 표면에 덮여 있는 막질이 덮여있어 SELF BIAS값이 문제가 없다가 세정된 HEATER가 들어가면 HEATER 표면에 막질에 덮여있지 않아 C값이 바껴서 전하량이 바뀌고 이에 SELF BIAS 값이 바뀌는 것이 맞을까요?

2. 저희가 모니터링하는 SELF BIAS값이 음수와 양수가 있는데 제가 알기로는 SELF BIAS값이 음수가 맞다고 알고있습니다. SELF BIAS값이 양수인 경우가 발생할 수 있을까요?

3. HEATER를 교체할 때 비슷한 막질인 SICN 막질을 덮는 설비의 HEATER를 떼와서 SIN 설비에 달아주면 SELF BIAS가 상승하는 문제가 없는데 비슷한 원리로 세정품 HEATER를 장착하고 SELF BIAS값을 낮출수 있는 방법이 있을까요?

4. 다른 방법이 있다면 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20276
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92707
537 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. 13206
536 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13066
535 반응기의 면적에 대한 질문 12813
534 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12771
533 ICP와 CCP의 차이 [3] 12533
532 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12364
531 플라즈마 살균 방식 [2] 11487
530 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11487
529 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11476
528 DC bias (Self bias) [3] 11302
527 RGA에 대해서 10550
526 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10445
525 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10386
524 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10377
523 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10317
522 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10016
521 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9878
520 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. 9845
519 수중 방전 관련 질문입니다. [1] 9674
518 대기압 플라즈마에 대해서 9643

Boards


XE Login