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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71490
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190 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 24929
189 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [전자 가열 매커니즘과 이온 에너지] [1] 19167
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186 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [플라즈마 확산 및 전력정합 영역 제어] [1] file 20556
185 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23107
184 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [RF matching 및 반응 단면적] [2] 19392
183 Full Face Erosion 관련 질문 [2] 19578
182 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태] [2] 26734
181 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [열용량과 방전 전력에 따른 냉각 장치] [1] 21692
180 RF에 대하여... 32483
179 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24380
178 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25185
177 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지] [1] 19051
176 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density] [2] 21240
175 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential] [2] 23001
174 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [Impedance matching과 반사파 형성] [3] 22725
173 glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 21876
172 self bias (rf 전압 강하) 26995
171 궁금합니다 [입자 속도에 따른 충돌 단면적과 mean free path] [1] 16303

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