ICP ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다.
2022.02.17 17:59
현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.
현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.
무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.
1. Source , Bia Power 하향
→ Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)
2. CF4 유량비 상향
→ O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다
(But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)
3. 압력에 대한영향성?
→ 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..
4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.
이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
657 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19731 |
656 | cross section 질문 [1] | 19720 |
655 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19714 |
654 | Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의.. | 19693 |
653 | DC SPT 문의 | 19682 |
652 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19659 |
651 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19641 |
650 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19559 |
649 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 19488 |
648 | self bias [1] | 19485 |
647 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19461 |
646 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19431 |
645 | QMA에 관하여 [1] | 19431 |
644 | AC 플라즈마에서의 전압/전류 형상... | 19390 |
643 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19361 |
642 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19351 |
641 | MFC | 19334 |
640 | [Q]플라즈마 생성위한 자유전자라는게 뭐죠? | 19328 |
639 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19221 |
638 | 질문이 몇가지 있읍니다. [1] | 19195 |