안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 전쉬스 부분에서 전자밀도와 이온 밀도가 같다고 할 수 있는 근거가 무엇입니까? 또한 전쉬스 공간의 길이는 디바이 길이보다 훨씬 커야하는데 전쉬스 공간의 길이의 제한범위가 있는지요?


cf) 

플라즈마 기초부부넹서 EXB 표류 운동에서 전기장 대신 중력이 전기장 방향으로 작용한다면 전자와 이온의 표류운동은 어떻게 되는 궁금합니다.


항상 성심껏 답변해주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20276
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92707
35 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 450
34 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 484
» 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
32 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 600
31 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 685
30 교수님 질문이 있습니다. [1] 760
29 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 896
28 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 1005
27 wafer bias [1] 1138
26 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1141
25 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1165
24 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1929
23 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2079
22 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2249
21 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2792
20 CVD 공정에서의 self bias [1] 3153
19 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3430
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4845
17 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8929
16 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 9000

Boards


XE Login