안녕하세요.

반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.

SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.

몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.

다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.

1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?

2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?

3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?


작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.


감사합니다.

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